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中科融合MEMS質(zhì)量管控 | 持續(xù)提升MEMS微鏡魯棒性與耐久性

中科融合是一家國(guó)際領(lǐng)先的先進(jìn)光學(xué)智能傳感器芯片企業(yè),是國(guó)內(nèi)唯一擁有自主研發(fā)“MEMS芯片+SOC芯片+核心算法”,并且提供完整的AI+3D芯片以及模組產(chǎn)品的創(chuàng)新型高新技術(shù)企業(yè)。MEMS激光微振鏡投射芯片是實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)結(jié)構(gòu)光條紋投影的核心部件。

中科融合自主開(kāi)發(fā)了全套工藝,良率高,核心參數(shù)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先,在國(guó)際上具有競(jìng)爭(zhēng)力。而MEMS的質(zhì)量(魯棒性以及耐久性)則會(huì)受到其從設(shè)計(jì)到迭代的技術(shù)壽命中每一步的影響,強(qiáng)化MEMS研發(fā)過(guò)程質(zhì)量管控對(duì)提高產(chǎn)品的質(zhì)量有著至關(guān)重要的作用,以下將對(duì)MEMS質(zhì)量影響因素進(jìn)行總結(jié):


PART01 技術(shù)類型


中科融合在設(shè)計(jì)關(guān)于應(yīng)用在光學(xué)智能傳感的MEMS以及流片之前,首先考慮此MEMS芯片設(shè)計(jì)以及制程需要基于什么技術(shù)類型,從制程的類型上來(lái)說(shuō),可以大致分為以下兩種:

<ol class=" list-paddingleft-2" style="padding: 0px 0px 0px 40px; outline: 0px; max-max-width: 100%; width: 100%; box-sizing: border-box; color: rgba(0, 0, 0, 0.9); font-family: system-ui, -apple-system, BlinkMacSystemFont, " helvetica="" neue",="" "pingfang="" sc",="" "hiragino="" sans="" gb",="" "microsoft="" yahei="" ui",="" yahei",="" arial,="" sans-serif;="" font-size:="" 15px;="" letter-spacing:="" 2px;="" text-align:="" justify;="" background-color:="" rgb(255,="" 255,="" 255);="" list-style-position:="" outside;="" overflow-wrap:="" break-word="" !important;"="">
  • Bulk micromachining

  • Surface micromachining

  • Bulk Micromachining是一種通過(guò)光刻/蝕刻等步驟在材料內(nèi)部生成結(jié)構(gòu)的方法,其典型代表為SOI制程,它的好處是,MEMS的材料性質(zhì)與結(jié)構(gòu)尺寸主要由使用的晶圓材料構(gòu)成,因此擁有較低的原生應(yīng)力(intrinsic stress)、較低的材料缺陷以及相對(duì)更準(zhǔn)確的尺寸控制,進(jìn)而擁有更好的魯棒性與耐久性。但缺點(diǎn)是,每一種設(shè)計(jì)都需要重新定制流片過(guò)程,因此大批量生產(chǎn)需要投入較多的人力物力確保良率以及性能一致性。


    微信圖片_20231219140334.png

    典型SOI制程


    Surface Micromachining主要在基底材料表面生長(zhǎng)材料層,后續(xù)使用光刻/蝕刻等步驟生成MEMS結(jié)構(gòu),其典型的代表為TSMC 0.35um 2p4m CMOS制程和PolyMUMPs等。由于使用類似IC制程的工藝流程,因此非常適合大批量生產(chǎn)。但是,由于每層結(jié)構(gòu)都是使用CVD或PVD生成,所以其結(jié)構(gòu)厚度以及原生應(yīng)力會(huì)有比較大的生產(chǎn)公差,導(dǎo)致生產(chǎn)出的MEMS的均一性相對(duì)較低,并且會(huì)有大量的形變以及蠕變問(wèn)題。

    微信圖片_20231219140341.png

    典型PolyMUMPs制程截面圖

    (點(diǎn)擊查看大圖)


    兩相比較,中科融合產(chǎn)品選擇了Bulk Micromachining這種類型的制程來(lái)保證MEMS微鏡的魯棒性以及耐久性。


    PART02 機(jī)械應(yīng)力

    針對(duì)中科融合的MEMS微鏡,在設(shè)計(jì)中需要考慮的一大因素為結(jié)構(gòu)在工作中的應(yīng)力,其為決定MEMS壽命的重要因素。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,需要保證產(chǎn)品在工作條件下的應(yīng)力遠(yuǎn)小于材料失效應(yīng)力,而MEMS材料的失效應(yīng)力與其在工作中的最大應(yīng)力的比例為安全系數(shù)。中科融合的設(shè)計(jì)使用足夠高的安全系數(shù),因此,可以保證在正常工作狀態(tài),MEMS的壽命達(dá)到1011次循環(huán)以上。


    微信圖片_20231219140746.png

    單晶硅循環(huán)壽命對(duì)主應(yīng)力上限

    (點(diǎn)擊查看大圖)


    PART03 生產(chǎn)管控


    制定MEMS微振鏡流片計(jì)劃、儲(chǔ)備流片所需特制SOI wafer、交付時(shí)間。跟進(jìn)fab流片進(jìn)度,及時(shí)更新流片交付日期,確保按質(zhì)按量交付。制定合理工藝參數(shù),增加PCM,監(jiān)控關(guān)鍵工藝步驟,要求fab及時(shí)提供需求的工藝監(jiān)控測(cè)試數(shù)據(jù),在滿足工藝參數(shù)定義的范圍內(nèi),經(jīng)確認(rèn)后對(duì)各個(gè)工藝逐一放行。對(duì)每一批次Lot的良率進(jìn)行統(tǒng)計(jì)及分析,確保良率穩(wěn)定。


    在MEMS芯片儲(chǔ)備數(shù)量滿足公司生產(chǎn)的前提下,對(duì)同一Lot分多批次進(jìn)行放行,減少M(fèi)EMS芯片在公司生產(chǎn)環(huán)節(jié)過(guò)程中的儲(chǔ)存時(shí)間,減少外界環(huán)境對(duì)MEMS的影響時(shí)間。已經(jīng)完成流片并且交付的MEMS芯片,需進(jìn)行真空包裝封存。

    微信圖片_20231219140840.png


    PART04 檢測(cè)與篩查

    MEMS芯片來(lái)料會(huì)經(jīng)歷一系列的來(lái)料檢,其中包括外觀檢(目檢,是否有明顯的缺陷以及尺寸偏差)、電學(xué)性質(zhì)檢測(cè)(阻抗檢測(cè)等)、機(jī)械檢測(cè)(諧振頻率以及品質(zhì)參數(shù)等)以及老化檢測(cè)。


    具體步驟如下:目檢 – 封裝 – 打線 – 電學(xué)性質(zhì)檢測(cè) – 老化測(cè)試 – 電學(xué)性質(zhì)測(cè)試。在老化測(cè)試中,MEMS會(huì)工作在高于正常工況的FoV,同時(shí),MEMS的機(jī)械參數(shù)會(huì)被測(cè)量并記錄。


    此系列測(cè)試能夠?qū)EMS進(jìn)行足夠的篩查,進(jìn)而過(guò)濾掉可能出現(xiàn)嚴(yán)重失效的殘次品。在老化測(cè)試前后,MEMS的電學(xué)性能也會(huì)被測(cè)量并比較,以保證其在測(cè)試前后不會(huì)出現(xiàn)明顯的變化。


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    目檢中發(fā)現(xiàn)的典型問(wèn)題

    (向下滑動(dòng)查看)


    PART05 熱應(yīng)力

    由于不同材料熱脹冷縮而引入的應(yīng)力,是產(chǎn)品不能穩(wěn)定工作的重要原因之一,甚至可能引起與MEMS微鏡貼合相關(guān)結(jié)構(gòu)件的碎裂進(jìn)而嚴(yán)重失效。在中科融合的產(chǎn)品中,由于底座材料和MEMS材料的熱膨脹系數(shù)相差較大,因此,我們選用了合適的材料和粘合劑來(lái)降低熱應(yīng)力引入的失效風(fēng)險(xiǎn)。


    PART06驅(qū)動(dòng)信號(hào)頻譜分量

    不同單體的MEMS設(shè)備都擁有多個(gè)諧振模態(tài),而某些特定的模態(tài)的觸發(fā)會(huì)引發(fā)MEMS的功能性失效,對(duì)MEMS諧振模態(tài)的了解以及對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的正確選擇可以極大程度上避免此類的功能性失效從而保證產(chǎn)品的壽命與穩(wěn)定性。


    基于中科融合的MEMS的設(shè)計(jì),其某一個(gè)高階模態(tài)會(huì)導(dǎo)致機(jī)械應(yīng)力在特定位置聚集。如果驅(qū)動(dòng)信號(hào)存在接近此模態(tài)的頻率分量,則有極大可能,在溫漂/應(yīng)力導(dǎo)致的MEMS諧振頻率漂移以及溫度引起的驅(qū)動(dòng)信號(hào)頻率漂移的相互作用下,MEMS會(huì)在此特定模態(tài)發(fā)生諧振,進(jìn)而極大增加由于機(jī)械應(yīng)力造成的嚴(yán)重失效。


    為此,中科融合的驅(qū)動(dòng)信號(hào)會(huì)根據(jù)MEMS的機(jī)械特性,在特定區(qū)域增加信號(hào)濾波,以降低失效可能。


    PART07 失效分析以及設(shè)計(jì)迭代

    在MEMS設(shè)計(jì)和生產(chǎn)中,有個(gè)別單體失效是很難從設(shè)計(jì)階段考慮到并且進(jìn)行規(guī)避,需要基于失效分析對(duì)設(shè)計(jì)與生產(chǎn)進(jìn)行迭代,從而提升MEMS的魯棒性以及性能的穩(wěn)定性。例如我們?cè)龅竭^(guò)的MEMS斷軸問(wèn)題,在研發(fā)團(tuán)隊(duì)對(duì)問(wèn)題的逐一排查過(guò)程中,我們發(fā)現(xiàn),其斷裂位置與生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的臺(tái)階有強(qiáng)相關(guān)性,見(jiàn)下圖:


    微信圖片_20231219141456.png

    失效處SEM圖


    而此臺(tái)階的產(chǎn)生可以依靠設(shè)計(jì)進(jìn)行規(guī)避,因此,我們對(duì)此處的版圖進(jìn)行了修改,從源頭上避免了臺(tái)階的產(chǎn)生。


    微信圖片_20231219141539.png

    產(chǎn)品質(zhì)量是企業(yè)技術(shù)、管理能力以及人員素質(zhì)的綜合反映。伴隨人類社會(huì)的進(jìn)步和人們生活水平的提高,終端用戶對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量要求越來(lái)越高。因此,企業(yè)要想長(zhǎng)期可持續(xù)發(fā)展,必須圍繞質(zhì)量這個(gè)核心開(kāi)展研發(fā)與制造活動(dòng)。加強(qiáng)質(zhì)量管理,持續(xù)提高產(chǎn)品質(zhì)量,從而更好地為用戶服務(wù)、為行業(yè)賦能。







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